国产一区二区不卡视频-国产一区二区成人-国产一区二区福利-国产一区二区福利久久-亚洲hd-亚洲h视频

　　SD11461 是一款由 Solitron Devices 生產(chǎn)的 N 通道功率 MOSFET，以下是其詳細介紹：

　　基本特性

　　電壓與電流：漏源極電壓(VDS)為 100V，連續(xù)漏極電流(ID)在 25°C 時為 35A。

　　導(dǎo)通電阻：在 25°C、10V 柵源電壓和 30A 漏極電流條件下，漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值為 25mΩ。

　　封裝：提供 TO-258 和 TO-254 3 引腳封裝，具有低熱阻，適合高功率應(yīng)用。

　　性能特點

　　快速開關(guān)能力：優(yōu)化了開關(guān)速度，適用于高頻應(yīng)用，如開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

　　高功率耗散能力：最大功耗為 147W，能夠承受較高功率。

　　溫度范圍：工作和存儲溫度范圍為 -55°C 至 +150°C，適合惡劣環(huán)境。

　　封裝優(yōu)勢：采用密封隔離封裝，具有良好的可靠性和抗干擾能力。

　　應(yīng)用領(lǐng)域

　　電源管理：用于開關(guān)模式和共振模式電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正(PFC)電路。

　　電機驅(qū)動：適用于 AC 和 DC 電機驅(qū)動，以及機器人和伺服控制系統(tǒng)。

　　高頻應(yīng)用：快速開關(guān)特性使其適合高頻電源轉(zhuǎn)換和控制。

　　電氣特性

　　閾值電壓：柵極閾值電壓(VGS(th))范圍為 2.0V 至 4.0V。

　　漏極電流：在 25°C 和 100V 漏源電壓下，漏極電流(IDSS)為 5.0μA。

　　柵極漏電流：在 ±20V 柵源電壓下，柵極漏電流(IGSS)為 ±100nA。

　　導(dǎo)通電阻：在 10V 柵源電壓和 30A 漏極電流下，漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))范圍為 20mΩ 至 40mΩ。

　　電容特性：輸入電容(Ciss)為 4300pF，輸出電容(Coss)為 450pF，反向轉(zhuǎn)移電容(Crss)為 175pF。

　　開關(guān)時間：開啟延遲時間(td(on))為 15ns，上升時間(tr)為 12ns，關(guān)閉延遲時間(td(off))為 47ns，下降時間(tf)為 12ns。

　　柵極電荷：總柵極電荷(Qg)為 87nC。

　　二極管特性

　　源極電流：連續(xù)源極電流(Is)為 35A，脈沖源極電流(sm)為 100A。

　　正向電壓：在 30A 漏極電流下，源極二極管正向電壓(Vsd)范圍為 1V 至 1.5V。

　　反向恢復(fù)時間：在 10A 漏極電流和 100A/μs 的 di/dt 下，反向恢復(fù)時間(trr)范圍為 89ns 至 120ns。

　　尺寸與封裝

　　TO-258 封裝：具有較大的散熱片和引腳，適合高功率應(yīng)用。

　　TO-254 封裝：尺寸較小，適合緊湊型設(shè)計。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。