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  Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET 2024-05-16 09:31:15

  Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款高效N溝道25V MOSFET，采用TrenchFET技術，具有低導通電阻和優異的開關性能。適用于適配器和負載開關，尤其在高側開關應用中表現出色。該器件在Vgs=10V時提供25V漏源電壓和0.0115Ω導通電阻，支持高達15.1A的連續漏極電流和32A的脈沖電流，同時具備良好的熱特性。

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  ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器 2024-07-25 09:11:21

  ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器，電壓3kV至250kV DC，電容最大2.000 μf，公差±10%，絕緣電阻25-50k ΩF，耗散因數<0.6%，多種外殼材料，操作溫度-55°C至125°C，符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202標準。