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  C4H2350N10 - 10W GaN封裝功率晶體管Ampleon 2024-11-29 08:54:42

  C4H2350N10是一款專為基站應用設計的10瓦特GaN功率晶體管，適用于2.3-2.7 GHz頻段的移動寬帶應用。其特點包括出色的數(shù)字預失真能力、高效率、寬帶操作、低輸出電容，并符合RoHS環(huán)保標準。該產品主要用于基站射頻功率放大器和多載波應用，頻率范圍為2300 MHz至5000 MHz，具備10W的標稱輸出功率、18.9dB的功率增益和15.5%的漏效率。

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  Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET 2024-04-11 09:25:34

  JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力，-60V電壓等級，-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應強化、快速切換、低總門電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負載點轉換器、同步整流、配電電路等。產品型號：JANSR2N7626UBN。