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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  Statek CX18SHG1CSM1 AT-Cut石英晶體：高性能頻率控制組件 2024-11-29 09:43:01

  Statek公司的CX18 AT-Cut石英晶體是一款高性能頻率控制組件，專為高可靠性應用設計，頻率范圍為30 MHz至100 MHz，采用小型高沖擊封裝，提供四種尺寸選項，具備高沖擊和振動存活能力、氦氣密封外殼、長期老化特性及寬溫度范圍（-55°C至+125°C）。適用于醫療設備、軍事和航空、工業通信等領域，技術規格包括32.0 MHz至49.0 MHz的基本頻率、60至45 Ω的運動電阻、1.0至1.2 pF的運動電容、高達80,000的品質因數等。