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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導通電阻、快速開關、抵御單粒子效應能力等特點。廣泛應用于DC-DC轉換器、電力推進和電機驅動領域，在高輻射環境下表現穩定可靠。已有更優產品JANSR2N7584T1推出。

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  MICRON DDR3 SDRAM 2021-06-22 17:11:18

  MICRON? DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優良的性能指標外，MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結果可能是在消耗相同或更少的系統功率的同時，具有更高的帶寬。